A.主次關(guān)聯(lián)
B.級別關(guān)聯(lián)
C.衍生關(guān)聯(lián)
D.次數(shù)關(guān)聯(lián)
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A.性能統(tǒng)計(jì)
B.配置數(shù)據(jù)核查
C.負(fù)載均衡
D.用戶管理
A.操作時(shí)，必需戴防靜電手環(huán)，并且保證手環(huán)與機(jī)柜上的靜電泄放孔接觸良好
B.必須以同類型同型號單板更換原單板，且槽位不能插錯(cuò)
C.更換單板前，需確認(rèn)新單板和原來單板燒制的芯片程序完全一致
D.必須在安全時(shí)間（一般是0：00〜6：00）里更換單板
A.eNodeB
B.MME
C.S-GW
D.P-GW
A.QCI
B.UE-AMBR
C.MBR
D.GBR
A.MBR
B.QCI
C.ARP
D.AMBR
最新試題
請描述一下工程建設(shè)中，對于保護(hù)地線、電源線的要求或應(yīng)注意事項(xiàng)？
網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃的關(guān)鍵內(nèi)容有哪些？
某TDLTER8處于小區(qū)B1超過20秒，鄰區(qū)有A（高優(yōu)先級）、B2（同優(yōu)先級）及C（低優(yōu)先級）。參數(shù)設(shè)置如下：threshXHigh=threshXLow=threshServingLow=20dB；qOffsetCell=0dB；qHyst=6dB。tReselection=1秒；qRxLevMin=-115dBm；offsetFreq=0所有小區(qū)的RSRP測量值（連續(xù)一秒）如下：A：-97dBmB1：-96dBmB2：-92dBmC：-94dBm請用R8的重選規(guī)則評估所有小區(qū)，然后找出最終重選目標(biāo)小區(qū)？
試比較TD-LTE升級和新建方案。
在LTE/EPC網(wǎng)絡(luò)的語音解決方案中，有兩種方案需要使用LTE/EPC核心網(wǎng)絡(luò)與電路域網(wǎng)絡(luò)的連接，請分別列出使用的接口，運(yùn)行的協(xié)議（IP協(xié)議層以上的），并且分別列舉2個(gè)消息（不同方向）。
在定點(diǎn)測試—法線方向好中差定點(diǎn)上下行吞吐量測試”中“好點(diǎn)，中點(diǎn)，差點(diǎn)”定義的SINR和RSRP一般分別是多少？
附著不成功，沒有GTPv2消息，MME回復(fù)attach reject，cause是network failure，分析并給出一種可能的原因。
簡要說明TD-LTE物理層幀結(jié)構(gòu)。
簡要說明TD-LTE特殊子幀的幀結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
簡述默認(rèn)承載與專有承載的區(qū)別。