A.800ns B.250ns C.200ns D.120ns
A.電平的高低變化 B.電流的幅值變化 C.電流的相位變化 D.電流的頻率變化
A.內(nèi)圈磁道存儲的信息比外圈磁道少 B.無論哪條磁道存儲的信息量均相同,但各磁道的存儲密度不同 C.內(nèi)圈磁道的扇區(qū)少使得它存儲的信息比外圈磁道少 D.各磁道扇區(qū)數(shù)相同,但內(nèi)圈磁道上每扇區(qū)存儲的信息少