你可能感興趣的試題

單項選擇題
在調(diào)頻制記錄方式中，寫“0”和寫“1”是利用（）。
A.電平的高低變化
B.電流的幅值變化
C.電流的相位變化
D.電流的頻率變化
單項選擇題
由于磁盤上內(nèi)圈磁道比外圈磁道短，因此（）。
A.內(nèi)圈磁道存儲的信息比外圈磁道少
B.無論哪條磁道存儲的信息量均相同，但各磁道的存儲密度不同
C.內(nèi)圈磁道的扇區(qū)少使得它存儲的信息比外圈磁道少
D.各磁道扇區(qū)數(shù)相同，但內(nèi)圈磁道上每扇區(qū)存儲的信息少
單項選擇題
某512×8位RAM芯片采用一位讀/寫線控制讀寫，該芯片的引腳至少有（）。
A.17條
B.19條
C.21條
D.522條
單項選擇題
（）存儲芯片是易失性的。
A.SRAM
B.UV-EPROM
C.NV-RAM
D.EEPROM
單項選擇題
需要定期刷新的存儲芯片是（）。
A.EPROM
B.DRAM
C.SRAM
D.EEPROM
問答題
【簡答題】Cache的通寫和回寫指什么？二者各有何優(yōu)缺點？
答案：Cache的通寫和回寫都是主存——Cache系統(tǒng)的更新策略問題。
Cache的通寫又叫...
問答題
【簡答題】EEPROM與UV-EPROM比，其優(yōu)點是什么？
答案：與UV-EPROM比，用電實現(xiàn)擦除的PROM（Electrically Erasable Programmable RO...
問答題
【簡答題】靜態(tài)MOS存儲器與動態(tài)MOS存儲器存儲信息的原理有何不同？為什么動態(tài)MOS存儲器需要刷新？一般有哪幾種刷新方式？
答案：靜態(tài)MOS存儲器利用一個雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲一個二進(jìn)制位，只要不斷電就可以保持其中存儲的二進(jìn)制數(shù)據(jù)不丟失。
動態(tài)M...
單項選擇題
若浮點數(shù)的階碼和尾數(shù)都用補(bǔ)碼表示，則判斷運算結(jié)果是否為規(guī)格化數(shù)的方法是（）。
A.階符與數(shù)符相同為規(guī)格化數(shù)
B.階符與數(shù)符相異為規(guī)格化數(shù)
C.數(shù)符與尾數(shù)小數(shù)點后第一位數(shù)字相異為規(guī)格化數(shù)
D.數(shù)符與尾數(shù)小數(shù)點后第一位數(shù)字相同為規(guī)格化數(shù)
單項選擇題
進(jìn)行補(bǔ)碼一位乘法時，被乘數(shù)和乘數(shù)均用補(bǔ)碼表示，運算時（）。
A.首先在乘數(shù)最末位y_n后增設(shè)附加位y_n+1，且初始y_n+1＝0，再依照y_nyn+1的值確定下面的運算
B.首先在乘數(shù)最末位y_n后增設(shè)附加位y_n+1，且初始y_n+1＝1，再依照y_ny_n+1的值確定下面的運算
C.首先觀察乘數(shù)符號位，然后決定乘數(shù)最末位y_n后附加位y_n+1的值，再依照y_ny_n+1的值確定下面的運算
D.不應(yīng)在乘數(shù)最末位y_n后增設(shè)附加位y_n+1，而應(yīng)直接觀察乘數(shù)的末兩位y_n-1y_n確定下面的運算

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某存儲器按字節(jié)編址，要求數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到8×10⁶字節(jié)／秒，則應(yīng)選用存儲周期為（）的存儲芯片。

你可能感興趣的試題

在調(diào)頻制記錄方式中，寫“0”和寫“1”是利用（）。

由于磁盤上內(nèi)圈磁道比外圈磁道短，因此（）。

某512×8位RAM芯片采用一位讀/寫線控制讀寫，該芯片的引腳至少有（）。

（）存儲芯片是易失性的。

需要定期刷新的存儲芯片是（）。

【簡答題】Cache的通寫和回寫指什么？二者各有何優(yōu)缺點？

【簡答題】EEPROM與UV-EPROM比，其優(yōu)點是什么？

【簡答題】靜態(tài)MOS存儲器與動態(tài)MOS存儲器存儲信息的原理有何不同？為什么動態(tài)MOS存儲器需要刷新？一般有哪幾種刷新方式？

若浮點數(shù)的階碼和尾數(shù)都用補(bǔ)碼表示，則判斷運算結(jié)果是否為規(guī)格化數(shù)的方法是（）。

進(jìn)行補(bǔ)碼一位乘法時，被乘數(shù)和乘數(shù)均用補(bǔ)碼表示，運算時（）。

某存儲器按字節(jié)編址，要求數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到8×106字節(jié)／秒，則應(yīng)選用存儲周期為（）的存儲芯片。

你可能感興趣的試題

在調(diào)頻制記錄方式中，寫“0”和寫“1”是利用（）。

由于磁盤上內(nèi)圈磁道比外圈磁道短，因此（）。

某512×8位RAM芯片采用一位讀/寫線控制讀寫，該芯片的引腳至少有（）。

（）存儲芯片是易失性的。

需要定期刷新的存儲芯片是（）。

【簡答題】Cache的通寫和回寫指什么？二者各有何優(yōu)缺點？

【簡答題】EEPROM與UV-EPROM比，其優(yōu)點是什么？

【簡答題】靜態(tài)MOS存儲器與動態(tài)MOS存儲器存儲信息的原理有何不同？為什么動態(tài)MOS存儲器需要刷新？一般有哪幾種刷新方式？

若浮點數(shù)的階碼和尾數(shù)都用補(bǔ)碼表示，則判斷運算結(jié)果是否為規(guī)格化數(shù)的方法是（）。

進(jìn)行補(bǔ)碼一位乘法時，被乘數(shù)和乘數(shù)均用補(bǔ)碼表示，運算時（）。

某存儲器按字節(jié)編址，要求數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到8×10⁶字節(jié)／秒，則應(yīng)選用存儲周期為（）的存儲芯片。

在調(diào)頻制記錄方式中，寫“0”和寫“1”是利用（）。

由于磁盤上內(nèi)圈磁道比外圈磁道短，因此（）。

某512×8位RAM芯片采用一位讀/寫線控制讀寫，該芯片的引腳至少有（）。

（）存儲芯片是易失性的。

需要定期刷新的存儲芯片是（）。

【簡答題】Cache的通寫和回寫指什么？二者各有何優(yōu)缺點？

【簡答題】EEPROM與UV-EPROM比，其優(yōu)點是什么？

【簡答題】靜態(tài)MOS存儲器與動態(tài)MOS存儲器存儲信息的原理有何不同？為什么動態(tài)MOS存儲器需要刷新？一般有哪幾種刷新方式？

若浮點數(shù)的階碼和尾數(shù)都用補(bǔ)碼表示，則判斷運算結(jié)果是否為規(guī)格化數(shù)的方法是（）。

進(jìn)行補(bǔ)碼一位乘法時，被乘數(shù)和乘數(shù)均用補(bǔ)碼表示，運算時（）。