下圖為m×n的RAM，WE及ME的電位分別為（）時，為數(shù)據(jù)寫入。
A.WE=1，ME=0
B.WE=1，ME=1
C.WE=0，ME=0
D.WE=0，ME=1
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如圖所示總線結構的原理圖，4個寄存器A，B，C和D，其控制字CON=（）
A.W1W2W3W4
B.LAEALBEBLCECLDEDCLK
C.LAEALBEBLCECLDED
MDR和MAR以及RAM的聯(lián)系如圖所示，MDR和MAR分別是（）位的寄存器。
A.8，8
B.8，12
C.12，8
D.12，12
A.1024個二進制符號
B.1000個二進制符號
C.1024個字節(jié)
D.1000個字節(jié)
A.00H；34H
B.00H；12H
C.12H；00H
D.12H；34H
有如下定義
TABLE1 DD 0，1，2，3
TABLE2 DB 30H, 31H, 32H, 33H
則下列指令中，（）項是正確的。
A.MOV AX，TABLE1
B.MOV BX，TABLE2
C.MOV AX，WORD PTR TABLE1
D.MOV BX，BYTE PTR TABLE1
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