單項(xiàng)選擇題

下列器件中，（）集MOSFET和功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)于一身。

A、晶閘管
B、GTO
C、IGBT
D、IPM

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

在發(fā)生事故或使用不當(dāng)?shù)那闆r下，保證本身不受損壞的器件是（）

A、GTO
B、MOSFET
C、1GBT
D、IPM

單項(xiàng)選擇題

SF₆斷路器年泄漏率應(yīng)小于（）

A、1%
B、2%
C、3%
D、5%

<track id="rbedx"><xmp id="rbedx">

<pre id="rbedx"></pre>

<abbr id="rbedx"></abbr>

<td id="rbedx"></td>