A.分割次數(shù)
B.照射技術(shù)
C.受照深度
D.劑量率
E.照射體積
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A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Ng
E.Nd
A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Nk
E.Nd
A.不同層面的輪廓圖方式表示
B.三維的輪廓圖形方式表示
C.CT值數(shù)據(jù)圖像方式表示
D.DRR圖像方式表示
E.CT值的三維矩陣轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的三維電子密度方式來表示
A.6~9MeV
B.9~12MeV
C.12~15MeV
D.15~18MeV
E.18~20MeV
A.50厘米
B.25厘米
C.15厘米
D.10厘米
E.5厘米
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
對(duì)射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。