A、1
B、2
C、5
D、12
E、15
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A、是一種組織不等效材料
B、可以減少高能光子射線的表面劑量
C、會明顯地改變深處等劑量曲線分布的形狀
D、可以補(bǔ)償組織缺損或者是人體曲面的影響
E、可以用來減少散射劑量
A、2MeV/cm
B、2.33MeV/cm
C、3MeV/cm
D、3.33MeV/cm
E、4.33MeV/cm
A、化學(xué)劑量計(jì)
B、電離室
C、熱釋光
D、半導(dǎo)體
E、膠片
A、優(yōu)點(diǎn):有良好的精確性和準(zhǔn)確性;缺點(diǎn):需要提供高電壓
B、優(yōu)點(diǎn):非常薄,不擾動射束;缺點(diǎn):需要用電離室劑量計(jì)作適當(dāng)校準(zhǔn)
C、優(yōu)點(diǎn):能做成不同形狀;缺點(diǎn):容易丟失讀數(shù)
D、優(yōu)點(diǎn):高靈敏度,不需要外置偏壓;缺點(diǎn):累積劑量會改變靈敏度
E、優(yōu)點(diǎn):能夠作為點(diǎn)劑量測量;缺點(diǎn):需要暗室和處理設(shè)備
A、腫瘤前表面的區(qū)域
B、腫瘤中心的區(qū)域
C、腫瘤后表面的區(qū)域
D、最大劑量深度點(diǎn)的區(qū)域
E、電離室中心的區(qū)域
最新試題
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。