A、外圓切割 B、內(nèi)圓切割 C、多線切割 D、單線切割
A.三氯氫硅還原法 B.輝光放電法 C.硅烷熱分解法 D.四氯化硅還原法
A、抑制高摻雜效應(yīng) B、增加各區(qū)少子壽命 C、加強(qiáng)漂移場(chǎng)減少表面負(fù)荷 D、增加空間電荷區(qū)的復(fù)合能級(jí)