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片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好,適于批量生產(chǎn),應(yīng)用越來(lái)越普遍。()
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。()
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硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。()
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