電路如圖,已知β=50,rbb′=200Ω,VBEQ=0.7V,VCC=12V,Rb=570kΩ,RC=4kΩ,RL=4kΩ
電路如圖所示,已知VT=2V,IDO=1mA,gm=30mS。 電容足夠大,其它參數(shù)如圖所示。 求: (1)電路的靜態(tài)工作點; (2)畫出低頻小信號等效模型; (3)中頻電壓增益、輸入電阻、輸出電阻。