單項(xiàng)選擇題DDR3內(nèi)存為()線。
A.168
B.184
C.240
D.280
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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)機(jī)后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)丟失的存儲(chǔ)器是內(nèi)存和()
A.BIOS
B.硬盤
C.高速緩存
D.CMOS
2.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存條是由()存儲(chǔ)芯片組成,高速緩存是由SRAM存儲(chǔ)芯片組成。
A.DRAM
B.RAM
C.SRAM
D.EEPROM
3.單項(xiàng)選擇題SRAM在實(shí)際生產(chǎn)中,一個(gè)存儲(chǔ)單元需要()個(gè)晶體管和2個(gè)電阻組成。
A.8
B.4
C.2
D.1
4.單項(xiàng)選擇題按工作原理分類,計(jì)算機(jī)的內(nèi)存分為隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和()
A.DDR
B.ROM
C.DRAM
D.SRAM
5.單項(xiàng)選擇題()主要決定主板的規(guī)格、對(duì)硬件的支持及系統(tǒng)的性能,它連接著CPU、內(nèi)存、AGP或PCI-E總線。
A.南橋芯片
B.北橋芯片
C.BIOS芯片
D.PCI-E接口
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以下哪些屬于網(wǎng)絡(luò)覆蓋范圍的類型?()
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