運(yùn)放電路如圖所示,Rf引入的反饋類型為()
A.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
B.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
C.電流并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流串聯(lián)負(fù)反饋
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B.CMOS器件
C.NMOS器件
D.PMOS器件
下圖所示邏輯符號(hào)的邏輯功能描述正確的是()
A.有0出0,全1出1
B.有1出1,全0出0
C.有0出1,有1出0
D.有0出1,全1出0
A.單向?qū)щ娦?br />
B.穩(wěn)壓特性
C.光電特性
D.變?nèi)萏匦?/p>
A.1
B.2
C.3
D.4
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最新試題
容抗與正弦電流的頻率成反比,頻率越高,容抗越小,因此電容器對(duì)高頻電流阻礙作用較小。()
下列物理量與單位對(duì)應(yīng)錯(cuò)誤的是()
與線性電感的電感量有關(guān)的因素是()
導(dǎo)體的長度和直徑都增大為原來的2倍,其阻值變?yōu)樵瓉淼模ǎ?/p>
組成時(shí)序電路的各觸發(fā)器,具有統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖CP,稱為同步時(shí)序電路。()
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