增強(qiáng)型NMOS和耗盡型NMOS。
形成某種材料的薄膜;在各種材料的薄膜上形成需要的圖形;通過摻雜改變材料的電阻率或雜質(zhì)類型。
襯底材料制備;埋層的形成;N型外延層的形成;隔離區(qū)的形成;晶體管基區(qū)的形成;晶體管發(fā)射區(qū)和引線孔的形成;金屬化的形成。