單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子為（）。
A、正離子
B、負(fù)離子
C、電子
D、自由電子和空穴
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1.單項(xiàng)選擇題硅管與鍺管的死區(qū)電壓分別為（）。
A、0.7，0.3
B、0.3，0.7
C、0.5，0.2
D、0.2，0.5
2.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的自由電子是（）形成的。
A、摻雜
B、能量擊發(fā)
C、摻雜與能量擊發(fā)
