A.每一個(gè)單元含有一個(gè)電容和一個(gè)TFT，而且每一個(gè)檢測(cè)單元對(duì)應(yīng)圖像的一個(gè)像素
B.入射X線照射非晶硒層，由于導(dǎo)電特性激發(fā)出電子-空穴，電子-空穴對(duì)在偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，形成電流
C.信號(hào)讀出后，掃描電路自動(dòng)清除硒層中的潛影和電容存儲(chǔ)的電荷，準(zhǔn)備下一次曝光和轉(zhuǎn)換做準(zhǔn)備。
D.電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極電容上
E.以上都是對(duì)的