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問答題
【簡(jiǎn)答題】MOS管的IDS大小除與源漏電壓和柵極電壓有關(guān)外，還與哪些因素有關(guān)？
答案：
源漏之間的距離、溝道寬度、開啟電壓、柵絕緣氧化層的厚度、柵絕緣層的介電常數(shù)、載流子的遷移率
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問答題
【簡(jiǎn)答題】為什么說MOS晶體管是一種電壓控制器件？
答案：
當(dāng)柵源電壓VGS等于開啟電壓VT時(shí)，器件開始導(dǎo)通，當(dāng)源漏間加電壓VDS且VGS=VT時(shí)，由于源漏電壓和柵-襯底電壓而分別...
