問(wèn)答題Si3N4材料在半導(dǎo)體工藝中能否用作層間介質(zhì)，為什么？請(qǐng)舉兩例說(shuō)明Si3N4在集成電路工藝中的應(yīng)用。
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在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
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題型：多項(xiàng)選擇題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題