在外加應(yīng)力作用下，通過(guò)位錯(cuò)中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不斷地作少量的位移的過(guò)程。
同一晶體中，位錯(cuò)的柏氏矢量愈大，位錯(cuò)強(qiáng)度也愈大，表明該位錯(cuò)導(dǎo)致的點(diǎn)陣畸變愈嚴(yán)重，它所具有的能量也愈高。
最新試題
生物醫(yī)用材料需要具備的性能有（）
液晶基元包括（）
電阻率最低的三種元素是（）
按照使用特點(diǎn)可將塑料分為（）
下列關(guān)于杠桿定律說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）
