A、晶胞形成速度大于單個(gè)晶體長(zhǎng)大速度 B、晶胞形成速度等于單個(gè)晶體長(zhǎng)大速度 C、晶胞形成速度小于單個(gè)晶體長(zhǎng)大速度
A、沒(méi)有氫脆影響且不影響工件精度 B、有氫脆影響,但不影響工件精度 C、沒(méi)有氫脆影響,但影響工件精度 D、影響氫脆和零件精度
A、前者上限,后者下陷 B、前者和后者都取中限 C、前者下限,后者上限 D、入槽溫度和出槽溫度相同就行