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A.O2與枕外粗隆的間距為20％
B.雙耳前凹連線距左耳前凹10％處為T4電極位置
C.從鼻根向后20％處為FPz位置
D.從FP2位置向左10％為Fp1，F(xiàn)p1向后每個電極間距為20％
E.01與02間距為10％

A.神經(jīng)元之間可形成環(huán)路，對癲癇樣放電的產(chǎn)生起重要作用
B.興奮性神經(jīng)遞質(zhì)可增加神經(jīng)元的興奮性
C.單個巨大神經(jīng)元的異常動作電位足以形成腦電圖上可記錄到的癲癇樣放電
D.去極化漂移（PDS）是癲癇樣放電的基礎(chǔ)
E.腦內(nèi)多種病理性因素可導(dǎo)致細胞內(nèi)外離子分布異常，使神經(jīng)元興奮性異常增高