利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

影響顯影工藝的因素有（）。

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

調(diào)試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）