回態(tài)源擴散的雜質源有（）

影響顯影工藝的因素有（）。

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設定于（）。

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。

傳統(tǒng)的平坦化技術有（）

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應用于（）