解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質量要求的是（）

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）

最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

影響顯影工藝的因素有（）。

利用高溫驅動雜質滲透進半導體內，此工序采用的設備是（）

調試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的？

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設置在（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）