硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。