正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容。
發(fā)生擊穿時(shí)pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度。
外加偏壓時(shí),pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過(guò)空間電荷區(qū)進(jìn)入p區(qū)或n區(qū)的過(guò)程。