問(wèn)答題描述等離子體刻蝕和干法去膠的原理
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1.問(wèn)答題描述并比較接觸式光刻、接近式、投影式、步進(jìn)式和電子束光刻。
4.問(wèn)答題列出光刻工藝的十個(gè)步驟，并簡(jiǎn)述每一步的目的。
5.問(wèn)答題光刻技術(shù)的圖形轉(zhuǎn)移分為哪兩個(gè)階段？
最新試題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
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