單項(xiàng)選擇題空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子,而原子反向遷入空位,這種擴(kuò)散機(jī)制適用于()的擴(kuò)散
A.各種類型固溶體
B.間隙型固溶體
C.置換型固溶體
D.A和B
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系,擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)(),擴(kuò)散()。
A.越緊密;越困難
B.越疏松;越困難
C.越緊密;活化能越小
D.越疏松;活化能越大
2.單項(xiàng)選擇題不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu),其擴(kuò)散難易程度不同,間隙型固溶體比置換型()。
A.難于擴(kuò)散
B.擴(kuò)散活化能大
C.擴(kuò)散系數(shù)小
D.容易擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大,()。
A.擴(kuò)散活化能越大
B.擴(kuò)散系數(shù)越大
C.擴(kuò)散活化能不變
D.擴(kuò)散系數(shù)越小
4.單項(xiàng)選擇題在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對擴(kuò)散有重要的影響,主要是通過(),使得擴(kuò)散系數(shù)增大。
A.增加缺陷濃度
B.使晶格發(fā)生畸變
C.降低缺陷濃度
D.A和B
5.單項(xiàng)選擇題通常情況下,當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時(shí),其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是()。
A.本征擴(kuò)散
B.非本征擴(kuò)散
C.互擴(kuò)散
D.A+B
最新試題
以下屬于干法成型的方法有()
題型:單項(xiàng)選擇題
燒結(jié)過程中可能出現(xiàn)的現(xiàn)象有()
題型:多項(xiàng)選擇題
金屬的再結(jié)晶過程可能出現(xiàn)的現(xiàn)象有()
題型:多項(xiàng)選擇題
特種陶瓷的氣孔率在什么范圍?()
題型:單項(xiàng)選擇題
根據(jù)冷卻速度的不同,可得到珠光體、貝氏體和馬氏體三種不同的熱處理組織。低溫、中溫和高溫相應(yīng)的轉(zhuǎn)變產(chǎn)物為()
題型:單項(xiàng)選擇題
準(zhǔn)一維納米材料是指在兩個(gè)維度上為納米尺度,長度約為微米級、毫米級的新型納米材料。下列各選項(xiàng)中,屬于準(zhǔn)一維納米材料的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
最輕且廉價(jià)的塑料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
電阻率最低的三種元素是()
題型:多項(xiàng)選擇題
空位屬于哪種晶體缺陷?()
題型:單項(xiàng)選擇題
金屬的殘余應(yīng)力可能造成的后果有()
題型:多項(xiàng)選擇題