單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測(cè)試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
2.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法，檢測(cè)砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
3.單項(xiàng)選擇題對(duì)既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對(duì)建筑物的部分或個(gè)別部位檢測(cè)時(shí)，一個(gè)檢測(cè)單元的測(cè)區(qū)數(shù)不宜少于（）個(gè)。
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測(cè)區(qū)內(nèi)測(cè)點(diǎn)數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
5.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于檢測(cè)單元、測(cè)區(qū)和測(cè)點(diǎn)的劃分錯(cuò)誤的是（）。
A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)，不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題