A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
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A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對(duì)于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對(duì)于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素
A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價(jià)元素，可形成N型半導(dǎo)體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成
A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價(jià)元素，可形成P型半導(dǎo)體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成
最新試題
晶閘管的結(jié)構(gòu)是（）。
對(duì)于運(yùn)算放大器而言，下列說法錯(cuò)誤的是（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)Y=A+B+C的值為（）。
晶體管作為開關(guān)使用時(shí)，主要工作于（）。
設(shè)v+、v－分別是理想運(yùn)放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運(yùn)放工作于線性區(qū)，則（）。
理想的運(yùn)算放大器應(yīng)具有的特性是（）。（Au開環(huán)電壓放大倍數(shù)，ri輸入電阻，r0輸出電阻）
在三極管基本放大電路中，為了獲得最大的不失真電壓放大，應(yīng)該將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在三極管的（）。
某實(shí)際運(yùn)放，已知其直流工作電源是±15V，開環(huán)增益AU0=107。若用于線性運(yùn)算，則其輸出電壓范圍可能是（）。
晶閘管導(dǎo)通后控制極電源線脫落，將產(chǎn)生的現(xiàn)象是（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。