單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極晶體管的開關(guān)速度()電力場效應(yīng)管。
A、稍高于
B、低于
C、等于
D、遠(yuǎn)高于
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1.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)管MOSFET是理想的()控制器件。
A、電壓
B、電流
C、電阻
D、功率
2.單項(xiàng)選擇題在并聯(lián)諧振式晶閘管逆變器中,為求得較高的功率因數(shù)和效率,應(yīng)使晶閘管觸發(fā)脈沖的頻率()負(fù)載電路的諧振頻率。
A、遠(yuǎn)大于
B、大于
C、接近于
D、小于
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