A.四級(jí)離子阱可直接在阱中使樣品電離,也可使用外部離子源 B.TOF只能與MALDI聯(lián)用 C.在飛行時(shí)間質(zhì)譜中,質(zhì)量越大的離子飛行速度越小,到達(dá)檢測(cè)器所需的時(shí)間越長(zhǎng) D.飛行時(shí)間質(zhì)譜提高其加速電壓,儀器分辨率下降
A.TOF B.MALDI C.Quadrupoles D.Ion Traps
A.1 B.2 C.3 D.>3