常壓的硅外延方法有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。