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問答題

【計算題】硅中受主雜質濃度為10¹⁷cm^-3，計算在300K下的載流子濃度n₀和p₀。

答案：

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【計算題】在300K下硅中電子濃度n₀=2×10³cm^-3，計算硅中空穴濃度p₀。判斷該半導體是n型還是p型半導體。

答案：

【計算題】假定兩種半導體除禁帶寬度以外的其他性質相同，材料1的禁帶寬度為1.1eV，材料2的禁帶寬度為3.0eV，計算兩種半導體材料的本征載流子濃度比值，哪一種半導體材料更適合制作高溫環(huán)境下工作的器件？

答案：