單項(xiàng)選擇題使用高能電子束照射時(shí)，其PDD隨射野面積變化的關(guān)系是（）
A.射野較大時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少，射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
B.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少，射野減小時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
C.射野較小時(shí)PDD隨深度增加而迅速減少，射野增大時(shí)PDD不再隨射野增加而變化
D.低能時(shí)射野對(duì)PDD的影響較大
E.對(duì)較高能量電子束，使用較小的射野時(shí)PDD隨射野的變化較小
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)高能電子束能量增大時(shí)，其PDD曲線隨能量變化的關(guān)系是（）
A.PDD表面劑量減少、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加
B.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染增加
C.PDD表面劑量增加、坪區(qū)變窄、劑量梯度減少以及X射線污染增加
D.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度增大以及X射線污染增加
E.PDD表面劑量增加、坪區(qū)增寬、劑量梯度減少以及X射線污染減少
2.單項(xiàng)選擇題高能電子束的PDD曲線可大致分為以下幾個(gè)區(qū)域（）
A.劑量建成區(qū)、高劑量坪區(qū)、低劑量區(qū)
B.表面劑量區(qū)、低劑量坪區(qū)、劑量上升區(qū)
C.表面劑量區(qū)、劑量跌落區(qū)、低劑量坪區(qū)以及X射線污染區(qū)
D.表面劑量區(qū)、高劑量坪區(qū)、劑量跌落區(qū)以及X射線污染區(qū)
E.劑量建成區(qū)、高劑量坪區(qū)、劑量跌落區(qū)以及X射線污染區(qū)
