A.Rv1+Sv5>1.2mV B.Rv1>1.0mV C.RaVL<1.1mV D.Rv5+Sv1>4.5mV E.RayR>0.5mV
A.P波形態(tài)高尖,時(shí)限<0.11秒 B.P波切跡、切跡間距<0.04秒 C.P波切跡,切跡間期>0.04秒,P波時(shí)限>0.11秒 D.P電輕左偏 E.PtfV1>-0.04mm·s
A.P波切跡 B.P波時(shí)限<0.11秒 C.PtfV1<-0.04mm·s D.P波形態(tài)高尖、P波振幅>0.25mV E.P波形態(tài)圓鈍、p電軸左偏