電流源電路如圖所示，V_DD＝＋5V，－V_ss＝－5V，T₁～T₅為特性相同的NMOS管，V_T＝2V，K_n2＝K_n3＝K_n4＝K_n5＝0.25mA/V²，K_n1＝0.10mA/V²，λ＝0，求I_REF和I值。

低功耗型運放LM324的簡化電路如圖所示。試說明：
（1）輸入級、中間級和輸出級的電路形式和特點；
（2）電路中T₈、T₉和電流源I_o1、I_o2和I_o3各起什么作用？

電路如圖所示，JFET的g_m＝2mS，r_ds＝20kΩ，求：
（1）雙端輸出時的差模電壓增益A_Vd＝（V_o1－V_o2）/V_id的值；
（2）電路改為單端輸出時，A_Vd1、A_Vc1和K_CMR的值。

電路如圖所示，R_e1＝R_e2＝100Ω，BJT的β＝100，V_BE＝0.6V，求：
（1）Q₀點（I_B1、I_C1、V_CE1）；
（2）當(dāng)V_i1＝0.01V、V_i2＝－0.01V時，求輸出電壓V_o＝V_o1－V_o2的值；
（3）當(dāng)C₁、C₂間接入負載電阻R_L＝5.6kΩ時，求V_o的值；
（4）求電路的差模輸入電阻R_id、共模輸入電阻R_ic和輸出電阻R_o。

如圖所示為某模擬電路部分電路。所有BJT的參數(shù)相同，β＝100，r_bb’≈0，r_ce→∞，并設(shè)V_BE＝0.7V。
（1）計算BJTT₁～T₆的集電極靜態(tài)電流；
（2）求電路的差模電壓增益A_Vd＝V_o/V_i、差模輸入電阻R_id和輸出電阻R_o。