A.狀態(tài)轉(zhuǎn)換真值表
B.特性方程
C.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
D.波形圖
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最新試題
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱(chēng)為()觸發(fā)器。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為()。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線(xiàn)數(shù)n的關(guān)系一般為()
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。