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SiHCl
3
還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。
A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑,可降低溫度
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薄膜光伏電池制備工藝中,等離子增強化學(xué)氣相沉淀法的英文縮寫是()
A.PVD
B.LPVCD
C.PEVCD
D.LVCD
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