單項(xiàng)選擇題亞閾值電流的大小和晶體管的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓VGS-VT成（）關(guān)系。
A.指數(shù)
B.平方
C.線性
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1.多項(xiàng)選擇題下列參數(shù)變化會(huì)引起NMOS晶體管閾值電壓降低的是（）。
A.溝道長(zhǎng)度L縮短
B.晶體管的VDS增大
C.源端電位升高（襯底接地）
D.增加襯底摻雜濃度
2.多項(xiàng)選擇題
根據(jù)下圖所示的MOS管版圖，可知下列幾個(gè)寄生電容與溝道寬度W成正比的有（粉色為多晶硅層，綠色為有源區(qū)層，黑色為接觸孔層，深綠色為金屬層）（）。
A.柵與源漏區(qū)的耦合電容
B.擴(kuò)散區(qū)的底板電容
C.柵-溝道電容
D.擴(kuò)散區(qū)的側(cè)壁電容
