A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
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A、靈敏度
B、曝光量
C、黑度
D、對比度
A、底片黑度
B、曝光量
C、曝光量的對數(shù)
D、底片黑度的對數(shù)
A、60Co
B、220kVpX射線
C、15MeVX射線
D、192Ir
A、相同
B、弱
C、強(qiáng)
D、以上都可能
A、管電流
B、管電壓
C、曝光時(shí)間
D、焦距
最新試題
渦流檢測線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對于檢測結(jié)果的好壞起著重要的作用。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
()件對不同類型的檢測對象和要求,采用的方式各有不同。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
根據(jù)檢測對象和目的的不同,渦流檢測儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測厚儀三種。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
各類渦流檢測儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。