單項選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為（）。
A.20W
B.30W
C.40W
D.50W
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1.單項選擇題EMB5116 TD-LTE基站的高度為（）。
A.1U
B.2U
C.3U
D.4U
2.單項選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū)，最大可支持連接態(tài)用戶數(shù)（）。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
3.單項選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū)，最大可支持激活態(tài)用戶數(shù)（）。
A.300
B.900
C.1200
D.3600
4.單項選擇題EMB5116 TD-LTE最多可以支持多少塊BPOG（）。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項選擇題實現(xiàn)EMB5116 TD-LTE的業(yè)務(wù)和信令交換功能的板卡是（）。
A.BPOE
B.EMx
C.SCTE
D.BPOG
最新試題
對于節(jié)假日和重大活動網(wǎng)絡(luò)保障，應(yīng)提前對eNB運行溫度進行巡檢——單板運行溫度應(yīng)不高于60攝氏度，超過70攝氏度的應(yīng)列為（）處理。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)中，UE為了完成在網(wǎng)絡(luò)中的注冊，需要進行（）過程。
題型：填空題
TD-LTE鏈路預(yù)算需要對（）分別進行預(yù)算。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)EPC中，完成NAS層信令處理的網(wǎng)元是（）。
題型：填空題
PCI由（）和（）共同決定，共有（）個。
題型：填空題
基站的噪聲系數(shù)一般為5dB，而終端一般為9dB。（）
題型：判斷題
TD-LTE系統(tǒng)中，有Msg0消息的隨機接入過程是（）隨機接入過程。
題型：填空題
性能指標(biāo)如果發(fā)生突變，或者明顯不合理，很有可能是設(shè)備或（）的問題。
題型：填空題
TD-LTE系統(tǒng)EPC中，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)承載并提供接入錨點的網(wǎng)元是（）。
題型：填空題
eNB可存放多個備用版本。（）
題型：判斷題