單項選擇題玻璃網絡外體的單鍵能一般小于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題下列制品中，不是利用玻璃分相或析晶等原理制造的是：（）
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
2.單項選擇題玻璃配合料的均勻度一般要求大于（）
A、85％
B、90％
C、95％
D、98％
3.單項選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括（）
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
4.單項選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較，（）
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
5.單項選擇題下列氧化物中，加入過量會使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題