單項選擇題玻璃熔制的主要設備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題一次風占燃燒所需要空氣量的（）。
A、15％－30％
B、20％―50％
C、40％―60％
D、50％―70％
2.單項選擇題水泥生料的主要原料不包括（）。
A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
3.單項選擇題陶瓷的主要原料包括（）。
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
4.單項選擇題陶瓷?；纱善诘钠鹗紲囟仁牵ǎ?/a>
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
5.單項選擇題回轉(zhuǎn)窯中溫度最高的是（）。
A、分解帶
B、放熱反應帶
C、燒成帶
D、預熱帶
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題