A.CH4
B.CH3F
C.CH3Cl
D.CH3Br
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A.F9
B.C6
C.O8
D.S16
A.甲基質(zhì)子是單峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,醇質(zhì)子是單峰
B.甲某質(zhì)子是二重峰,次甲基質(zhì)子是七重峰,酵質(zhì)子是單峰
C.甲某質(zhì)子是四重蜂,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是單峰
D.甲某質(zhì)子是四重峰,次甲基質(zhì)子是十四重峰,酵質(zhì)子是二重峰
A.五組峰(6:1:2:1:6)
B.三組峰(2:6:2)
C.三組峰(6:1:1)
D.四組峰(6:6:2:2)
A.大,因為磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
B.大,因為磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
C.小,因為磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.小,因為磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.掃場下的高場和掃頻下的高頻,較小的化學(xué)位移值(δ)
B.掃場下的高場和掃頻下的低頻,較小的化學(xué)位移值(δ)
C.掃場下的低場和掃頻下的高頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
D.掃場下的低場和掃頻下的低頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
最新試題
使用CS600測定純鐵中超低碳硫含量,控制分析空白是關(guān)鍵。
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