A.殘余電流和擴(kuò)散電流
B.殘余電流.遷移電流和擴(kuò)散電流
C.遷移電流和擴(kuò)散電流
D.殘余電流和遷移電流
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A.擴(kuò)散系數(shù)D
B.汞滴流速m
C.滴汞周期t
D.半波電位E1/2
A.極譜半波電位相同的,都是同一種物質(zhì)
B.極譜半波電位隨被測(cè)離子濃度的變化而變化
C.當(dāng)溶液的組成一定時(shí),任一物質(zhì)的半波電位相同
D.半波電位是極譜定量分析的依據(jù)
A.i∝h1/2
B.i21/3
C.iD∝h
D.iD∝h
A.消除擴(kuò)散電流
B.消除遷移電流
C.消除電容電流
D.消除殘余電流
A.電位法
B.電流法
C.電導(dǎo)法
D.化學(xué)指示劑法
最新試題
使用CS600測(cè)定純鐵中超低碳硫含量,控制分析空白是關(guān)鍵。
ICP光譜儀中石英炬管清洗時(shí)用的酸是()。
紅外吸收法分析碳和硫時(shí),可以用同一個(gè)紅外池來(lái)檢測(cè)。
選用ICP-AES儀器,同時(shí)可以進(jìn)行()。
高純鐵中超低碳硫含量的紅外線吸收法測(cè)定過(guò)程中,陶瓷坩堝拆裝后即可立即使用,無(wú)需任何預(yù)處理。
LZ50中氧氮含量的測(cè)定,分析儀器需要配備外循環(huán)冷卻水器或自來(lái)水源。
X射線熒光光譜玻璃熔片法采用的鉑金坩堝Pt與Au的比例一般是()。
脈沖加熱熔融熱導(dǎo)法測(cè)定鋼鐵中氫含量,分析前應(yīng)用有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)進(jìn)行檢查和校準(zhǔn)儀器,所用實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的氫含量應(yīng)略大于被分析試樣的含氫量。
ICP-AES光源分為四個(gè)區(qū)域,即()。
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀包括()。