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試件上表面缺陷形態(tài)一定時(shí),隨著磁感應(yīng)強(qiáng)度的增加,漏磁場(chǎng)強(qiáng)度減小
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試件上表面缺陷形態(tài)一定時(shí),隨著磁感應(yīng)強(qiáng)度的增加,漏磁場(chǎng)強(qiáng)度也增加
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試件的磁感應(yīng)強(qiáng)度和試件上缺陷大小都一定時(shí),缺陷埋藏深度越深,漏磁場(chǎng)強(qiáng)度越大
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