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已知一個(gè)晶體管的ICEO為200μA,當(dāng)基極電流為20μA時(shí),集電極電流為1mA,則該管的ICBO約等于()。
A.8mA
B.10mA
C.5μA
D.4μA
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單項(xiàng)選擇題
溫度升高時(shí),晶體管的擊穿電壓U(BR)CEO將()
A.升高
B.不變
C.降低
D.以上都可能
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單項(xiàng)選擇題
晶體管的穿透電流ICEO大,說(shuō)明其()
A.工作電流大
B.擊穿電壓高
C.壽命長(zhǎng)
D.熱穩(wěn)定性差
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