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【簡(jiǎn)答題】解釋電力電子裝置產(chǎn)生過(guò)電壓的原因。
答案:
電力電子裝置可能的過(guò)電壓原因分為外因和內(nèi)因。外因過(guò)電壓主要來(lái)自雷擊和系統(tǒng)中的操作過(guò)程等外部原因,如由分閘、合閘等開(kāi)關(guān)操作...
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【簡(jiǎn)答題】從最大容量、開(kāi)關(guān)頻率和驅(qū)動(dòng)電路三方面比較SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
答案:
最大容量遞增順序?yàn)镻ower MOSFET、IGBT、SCR;開(kāi)關(guān)頻率遞增順序?yàn)镾CR、IGBT、Power MOSFE...
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答案:
GTR有二次擊穿現(xiàn)象,而PowerMOSFET沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象的根本原因是這兩種器件的工作載流子性質(zhì)不同。GTR這類(lèi)雙極...
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