電路如圖所示,JFET的gm=2mS,rds=20kΩ,求: (1)雙端輸出時(shí)的差模電壓增益AVd=(Vo1-Vo2)/Vid的值; (2)電路改為單端輸出時(shí),AVd1、AVc1和KCMR的值。
如圖為一帶自舉電路的高輸入阻抗射極跟隨器。試定性說明: (1)電壓增益接近1; (2)如圖所示,通過C3引入自舉可減少漏柵電容對(duì)輸入阻抗的影響; (3)通過C2引入自舉大大提高了放大器的輸入電阻。
電路如圖所示,設(shè)兩個(gè)FET的參數(shù)完全相同。試證明: (1)電壓增益為(提示:μ=gmrds) (2)輸出電導(dǎo)為 (3)如果R1=R2=R,試求Av和Ro。