A.LVEF過(guò)高可能由于本底R(shí)OI選定區(qū)域不合適 B.LVEF誤差可能由于將主動(dòng)脈或者其他放射性高的部位作為本底R(shí)OI C.舒張時(shí)左室ROI圈定擴(kuò)大,也會(huì)使LVEF增高 D.收縮時(shí)圈定ROI將左房包括,會(huì)使LVEF降低 E.本底R(shí)OI計(jì)數(shù)與LVEF影響關(guān)系不大
A.體內(nèi)法標(biāo)記紅細(xì)胞時(shí),兩次注射間隔的時(shí)間長(zhǎng)短影響標(biāo)記率 B.體內(nèi)法標(biāo)記紅細(xì)胞時(shí),Sn2+離子濃度最好為5.0mg C.Sn2+濃度過(guò)高可以引起高價(jià)锝難以還原 D.Sn2+濃度過(guò)低可以引起蛋白質(zhì)非特異性結(jié)合 E.顯像中發(fā)現(xiàn)胃和甲狀腺顯影,則標(biāo)記率高