問(wèn)答題比較干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點(diǎn)。
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1.問(wèn)答題常見(jiàn)的熱氧化生長(zhǎng)二氧化硅的方法有哪些？
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述影響氧化速率的因素？
3.問(wèn)答題描述熱氧化的基本機(jī)理和兩個(gè)階段。
4.問(wèn)答題二氧化硅膜的獲得方法有哪些？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅器件中二氧化硅膜的作用？
最新試題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題